Van het het Random access memorymram Geheugen van MR0A08BCYS35 MRAM Magnetoresistive de Gegevensopslag

Productomschrijving

MR0A08BCYS35 de Gegevensopslag Magnetoresistive van het Random access memory (MRAM) EHHD024A0A41Z de118-rs-20/6.35 Geheugen

EIGENSCHAPPENvoordelen

• Één geheugen vervangt FLITS, SRAM, EEPROM en MRAM in systeem voor eenvoudiger, efficiënter ontwerp

• Verbetert betrouwbaarheid door batterij-gesteund SRAM te vervangen

• 3,3 Voltvoeding

• De snelle lees-schrijfcyclus van 35 NS

• De compatibele timing van SRAM

• Inheemse niet-vluchtigheid

• Onbeperkte gelezen & schrijft duurzaamheid

• Gegevens altijd niet-vluchtig >20-jaren bij temperatuur

• Commerciële en industriële temperaturen

• Alle producten ontmoeten msl-3 vochtigheidsvertrouwelijkheidsniveau

• De rohs-volgzame pakketten van TSOP2 en BGA-

VOORDELEN

• Één geheugen vervangt FLITS, SRAM, EEPROM en MRAM in systeem voor eenvoudiger, efficiënter ontwerp

• Verbetert betrouwbaarheid door batterij-gesteund SRAM te vervangen